本发明公开了一种具有涡旋畴壁的双层自旋转移矩纳米柱振荡器,由叠加的固定层与自由层组成;所述固定层的磁矩方向与纳米柱所在平面垂直,自由层的磁矩方向与纳米柱所在平面平行,直流电流垂直于纳米柱的平面且经过自由层流经固定层。本发明提出了一种新型的纳米柱振荡器结构,通过固定层与自由层的相互作用,在直流电流下驱使自由层的磁矩振荡。从而简化了传统的STNO的三层结构,省略了隔离层,可以大大简化工艺制造流程。同时该模型可以轻松实现多个纳米柱之间的耦合振荡,提高纳米柱振荡器的振幅。