ZrB_2-SiC_(pl)复合陶瓷的SPS烧结行为及微观结构

作者：王明福; 汪长安; 张幸红

来源：硅酸盐学报, 2011, (08): 1286-1289.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2011.08.015

• 二硼化锆
• 放电等离子体烧结
• 碳化硅晶片 zirconium diboride
• spark plasma sintering
• silicon carbide platelet

利用放电等离子体烧结(spark plasma sintering,SPS)技术,在烧结温度、保温时间、压力和加热速率分别为1 600℃、5 min、30 MPa和100℃/min条件下制备硼化锆(ZrB2)–15%(体积分数)碳化硅晶片(SiCpl)复合陶瓷。研究ZrB2–SiCpl复合陶瓷的烧结致密化行为、微观结构和力学性能,以及晶片的定向性对复合陶瓷性能的影响。结果表明:SPS降低了ZrB2烧结温度,样品晶粒尺寸变小且均匀,有效抑制了ZrB2晶粒异常长大,SiC晶片的定向排布有利于提高材料的烧结性能和力学性能。

• 单位
  航天学院; 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室; 清华大学; 哈尔滨工业大学