高浓度硅外延纵向电阻率分布研究

作者：尤晓杰; 王银海; 葛华; 韩旭

来源：电子与封装, 2021, 21(09): 77-80.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0914

• 桶式外延炉
• 基座
• 波浪形貌
• 纵向电阻率分布
• 掺杂浓度

研究了桶式N型外延中发现的波浪形貌纵向电阻率分布现象,分析和验证了可能的影响因素(温度、生长速率、转速、挂件、掺杂浓度),得到如下结论,波浪形貌的纵向电阻率分布是在高掺杂浓度时因桶式基座面气流干扰产生的现象,且该现象通过基座面尺寸的调整可以消除。