低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究

作者：于新; 陆妩; 姚帅; 荀明珠; 王信; 李小龙; 孙静

来源：微电子学, 2020, 50(02): 281-286.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190261

• 双极模拟集成电路
• 单粒子瞬态效应
• 等效LET
• 电荷收集

在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根据产生的电荷量,可对重离子-激光的SET进行关联,以便获得等效重离子的激光能量。激光与重离子的对比试验表明,选取恰当的激光能量,能够反映重离子产生的SET幅值。研究结果为双极模拟集成电路抗SET选型评估及激光试验条件的选取提供了参考。

• 单位
  中国科学院新疆理化技术研究所; 中国科学院大学