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摘要
通过分析VDMOS产品总剂量和单粒子的失效机理,提出了相应的总剂量和单粒子加固方案,同时对具有抗辐照要求的VDMOS在终端设计和管芯工艺设计中重点需要考虑的问题进行了分析和总结。本文所采用的总剂量和单粒子加固方案已经在N沟200V产品的设计和工艺中应用,试验结果证明方案可行、措施有效。
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通过分析VDMOS产品总剂量和单粒子的失效机理,提出了相应的总剂量和单粒子加固方案,同时对具有抗辐照要求的VDMOS在终端设计和管芯工艺设计中重点需要考虑的问题进行了分析和总结。本文所采用的总剂量和单粒子加固方案已经在N沟200V产品的设计和工艺中应用,试验结果证明方案可行、措施有效。
