基于VO-2的频率可调MEMS平板谐振器

作者：陈志强; 田文超; 辛菲; 徐瀚洋

来源：2022-11-11, 中国, CN202211417200.8.

本发明公开的基于VO-2的频率可调MEMS平板谐振器,其包括：SiO-2基板；SiO-2基板位于谐振器的最下方；底部电极位于SiO-2基板上方；Si-3N-4双端固支平板位于SiO-2基板与底部电极上方；顶部电极位于Si-3N-4双端固支平板上方且位置与底部电极相对应；Si-3N-4绝缘层位于Si-3N-4双端固支平板与顶部电极上方；加热电阻位于Si-3N-4绝缘层上方且其电阻最大区域位于Si-3N-4双端固支平板的梁中间区域；VO-2层位于Si-3N-4双端固支平板与加热电阻上方；加热电阻采用Pt制作以增加其承受高温的能力,同时加热电阻由不同宽度的Pt金属带构成以保证Si-3N-4双端固支平板的中间平板区域电阻值最大。

• 单位
  西安电子科技大学