一种高温SOI硅压阻压力芯片的设计与仿真

作者：王尊敬; 李闯; 涂孝军; 路翼畅

来源：电子技术与软件工程, 2020, (02): 79-82.

• 高温压力传感器
• 绝缘体上硅SOI
• 芯片敏感结构设计
• 有限元分析
• 最优尺寸

本文设计了一种基于微机电系统(MEMS)技术的硅压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。从可动膜片结构设计、关键尺寸计算以及有限元分析等方面考虑,对压力芯片可动膜片进行了结构优化;从压敏电阻条的注入位置、几何形状、器件噪声分析和计算等方面设计,最终确定可动膜片的边长为1000μm,膜厚为40μm,压敏电阻条的长度为160μm,宽度为5μm,R1和R3设计成"一"字形,R2和R4设计成"M"形。

• 单位
  苏州长风航空电子有限公司