长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺

作者：刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢

来源：半导体光电, 2007, (05): 667-670+675.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2007.05.017

• 垂直腔面发射激光器
• 欧姆接触
• 比接触电阻
• 快速退火 VCSEL
• ohmic contacts
• specific contact resistance
• rapid thermal annealing

简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低比接触电阻值可达6.49×10-5Ω.cm2。将此工艺结果应用于1.3μm VCSEL结构中,发现其开启电压和串联电阻显著减小。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院研究生院