InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器

作者：李云涛; 张舟; 丁颜颜; 杨煜; 雷华伟; 汪良衡; 谭必松; 张传杰; 刘斌; 周文洪

来源：红外技术, 2019, 41(08): 731-734.

• InAs/GaSb Ⅱ类超晶格
• 640×512
• 长波红外
• 焦平面探测器

武汉高芯科技有限公司从2014年开始制备基于InAs/GaSbⅡ类超晶格的长波红外探测器。在本文中,报道了像元规模为640×512,像元间距为15mm的长波红外焦平面探测器。在77 K时,器件的50%截止波长为10.5mm,峰值量子效率为38.6%,当F数为2、积分时间为0.4 ms时,测得器件的噪声等效温差为26.2 mK,且有效像元率达99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术与成熟的Ⅲ-Ⅴ族芯片技术,成功地验证了在大于10mm的长波波段,用超晶格代替HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。

• 单位
  武汉高芯科技有限公司