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摘要
本发明公开了一种直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件及其制备方法。所述制备方法包括：将放置了晶圆的载板装置放入PECVD设备反应腔室内,抽空,升温；连通射频电源,将晶圆片倒置,通入反应气体；将晶圆片正置,镀上金属电极,然后在出光面涂覆一层荧光胶。得到所述CSP器件。本发明还设计了上述的载板装置,其包括载板主体、模具单元和隔模板；载板主体上设有电极层,所述的模具单元和隔膜板内嵌在载板主体内；模具单元外部是于载板主体相贴合,叠置在一起。本发明提供的制备方法,能避免MCPCB板对芯片应力传递,引起外延层裂纹的问题,能防止在所沉积的薄膜覆盖晶圆片的电极。
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