介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40~125℃范围内使用HSPICE进行仿真,得到的温度系数仅有1.8 ppm/℃。