0.18 μm SOI工艺抗辐照触发器性能研究

作者：周昕杰; 于宗光; 田海燕; 陈嘉鹏

来源：固体电子学研究与进展, 2014, 34(05): 460-464.

• 辐照效应
• 辐射加固
• 触发器
• 绝缘体上硅工艺

随着集成电路制造工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,集成电路在太空环境应用中更容易受到单粒子辐照效应的影响,可靠性问题越发严重。特别是对高频数字电路而言,单粒子翻转效应(SEU)及单粒子瞬态扰动(SET)会导致数据软错误。虽然以往的大尺寸SOI工艺,具有很好的抗单粒子性能,但仍需要对深亚微米SOI电路进行辐照效应研究。文中通过对4种触发器链进行抗辐照设计,用0.18μm SOI工艺进行了流片验证,并与体硅CMOS工艺对比分析。1.8V电源电压条件下的触发器翻转阈值可以达到41.7MeV·cm2/mg,抗辐射性能比0.18μm体硅CMOS工艺提升了约200%。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所