具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS

作者：何乃龙; 许杰^*; 王浩; 赵景川; 王婷; 朱文明; 张森

来源：微电子学, 2023, 53(01): 134-138.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220043

• P型埋层
• LDMOS
• 击穿电压
• 比导通电阻

提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理，使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部剧烈的衬底辅助耗尽效应，提升器件的耐压性能；同时，器件正向导通状态下，对电流的传输路径也没有形成阻碍，能够维持较低的比导通电阻。流片结果表明，在漂移区长度均为65μm的情况下，SETR LDMOS的击穿电压能达到813 V,比传统TR LDMOS的击穿电压高51 V,且比导通电阻维持在7.3Ω·mm2。

• 单位
  无锡华润上华科技有限公司