宽禁带半导体物理

作者：申德振

来源：科学观察, 2021, 16(05): 85-88.

DOI：10.15978/j.cnki.1673-5668.202105006

• 紫外探测器件
• 宽禁带半导体
• 电力电子器件
• 日盲紫外探测器
• 紫外光电探测器

<正>宽禁带半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga2O3)和金刚石等,也被称为第3代半导体材料。与硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等前两代传统半导体材料相比,宽禁带半导体材料除具有优异的光电特性外,还具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强、介电常数低等优越性能,因此宽禁带半导体材料被广泛用于制作电子电力和光电器件,

• 单位
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所