Mo-Si-B三元系中T2相合金制备及其室温力学性能

作者：潘昆明; 张来启; 王珏; 杜伟; 林均品

来源：稀有金属材料与工程, 2013, (05): 1080-1084.

• T2
• 放电等离子烧结
• 微观组织
• 室温力学性能
• 共价键 T2
• sparking plasma sintering
• microstructure
• room temperature mechanical properties
• covalent bond

通过放电等离子烧结(SPS)制备T2(Mo5SiB2)相合金,并采用SEM、XRD及压痕、压缩和三点弯曲等实验对合金的微观组织和室温力学性能进行表征。结果表明:SPS法以独特的等离子活化烧结方式制备出纯度高、致密且晶粒细小的T2相合金。该合金在室温压缩下几乎没有塑性变形,抗压强度为2907MPa;维氏硬度为17.86GPa,压痕法测得的断裂韧性为3.23MPa·m1/2,与三点弯曲法测得的3.34MPa·m1/2接近,沿{001}面发生解理断裂。共价键交替排列,是T2相室温脆性、高强度、高硬度的根本原因。

• 单位
  新金属材料国家重点实验室; 北京科技大学