活性破片高速撞击产生等离子体的毁伤效应

作者：徐瑞泽; 肖建光^*; 马俊杨; 安德隆; 谢志渊; 王岩鑫

来源：兵工学报, 2023, 44(12): 3733-3742.

• 活性破片
• 高速碰撞
• 等离子体
• 逻辑芯片
• 电磁毁伤

为探究活性破片高速撞击产生等离子体特性及其对目标造成的电磁毁伤效应，开展了活性破片高速撞击铝板的毁伤试验。采用不同配方活性材料破片和普通铝制破片分别撞击铝板，通过朗缪尔三探针系统获得活性和惰性破片在特定空间位置产生等离子体的电子密度和电子温度，通过逻辑芯片信号采集系统获得74HC04逻辑芯片在等离子体作用下的电磁毁伤效应。研究结果表明：由于活性破片独特的侵爆效应，释放出更多的能量，使得产生的等离子体电子密度比惰性破片更高；配方为钽镁四氟乙烯-六氟丙烯-偏氟乙烯共聚物(Ta/Mg/THV,70%Ta+9.26%Mg+20.74%THV)的活性破片以1.4 km/s的速度撞击厚度为2 mm的双层铝板时，产生的等离子体电子密度能达到5.89×1015 m-3,对74HC04逻辑芯片造成了逻辑关系短暂失真的瞬态软毁伤和逻辑工作能力完全失效的不可逆毁伤。

• 单位
  中北大学; 机电工程学院