6H-SiC单晶的生长与缺陷

作者：胡小波; 徐现刚; 王继扬; 韩荣江; 董捷; 李现祥; 蒋民华

来源：硅酸盐学报, 2004, (03): 248-250+254.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2004.03.007

• 6H-碳化硅
• 微管
• 负晶
• 缺陷 Hsilicon carbide
• micropipe
• negative crystal
• defect

采用升华法 ,在一定的温度、气体压力和流量的条件下 ,生长了尺寸 5 0 .8mm的 6HSiC单晶。利用光学显微术观察了原生晶体的表面形貌 ,发现了微管在晶体表面的露头点具有明显的多个螺位错成核特征。采用透射模式对抛光晶片进行观察 ,发现了SiC晶体内的典型缺陷 ,如 :负晶、微管、碳颗粒等 ,并对它们的形成机理进行了讨论。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东大学