28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究

作者：张颢译; 曾传滨; 李晓静; 闫薇薇; 倪涛; 高林春; 罗家俊; 赵发展; 韩郑生

来源：微电子学与计算机, 2021, 38(12): 75-79.

DOI：10.19304/J.ISSN1000-7180.2021.0288

• 高温器件
• 超薄体FDSOI
• 输出电流
• 载流子迁移率

针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题，开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体FD(全耗尽)SOI的结构优势使其和PD(部分耗尽)SOI相比拥有更低的阈值电压温度漂移率和更小的载流子迁移率改变量.

• 单位
  中国科学院微电子研究所; 中国科学院大学