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摘要
一种巨介电薄膜晶体管,设置有栅极和半导体以及位于栅极和半导体层之间的栅绝缘层。所述栅绝缘层为采用巨介电材料作为栅绝缘层。巨介电材料处于陶瓷块状态时,在频率1kHz下相对介电常数大于10000,巨介电材料处于薄膜状态时,在1kHz下相对介电常数大于500。所述巨介电材料为非铁电陶瓷材料。与离子双电层作为TFT的栅绝缘层相比,本发明的巨介电薄膜晶体管具有频率响应好的优势,反相器频率响应大于500Hz,并且低耗电路,因此在显示器领域中具有良好的应用潜力。同时本发明的巨介电薄膜晶体管采用为非铁电材料制备而成,因此无迟滞现象。
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