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摘要
采用坩埚下降法成功生长了φ100mmCaF2晶体,研究了不同条件生长单晶的缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中引入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH–两倍振动吸收带,而且在可见–紫外波段也形成强烈的色心吸收带。同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带。
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单位中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 长春理工大学; 中国科学院研究生院
采用坩埚下降法成功生长了φ100mmCaF2晶体,研究了不同条件生长单晶的缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中引入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH–两倍振动吸收带,而且在可见–紫外波段也形成强烈的色心吸收带。同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带。
