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摘要
本发明涉及一种氧化镓场终端功率二极管及其制备方法,该氧化镓场终端功率二极管,包括：阴极、衬底层、漂移层和阳极,其中,衬底层、漂移层和阳极自下而上依次层叠设置；衬底层的下表面上刻蚀形成若干间隔的凹槽结构；阴极设置在衬底层的下表面以及凹槽结构内。本发明的氧化镓场终端功率二极管,通过衬底层减薄与图形化阴极相结合,有效降低了阴极接触电阻,进而降低器件的导通电阻,而且衬底层的刻蚀避免了对漂移层的损伤,其次,漂移层的厚度并未减薄,避免了器件击穿电压降低的问题,使得氧化镓场终端功率二极管在降低导通电阻的同时保持较高击穿电压。
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