采用基于密度泛函理论的第一性原理GGA+U方法研究了YMn2O5的能带结构、态密度、Mulliken电荷布居和光学性质,计算结果表明:YMn2O5为间接带隙半导体,理论禁带宽度为0.927 eV;电荷密度图和布居分析可知,YMn2O5为离子和共价兼有的化合物,Mn 3d轨道与O 2p轨道发生了sp3轨道杂化,易形成四面体结构;利用计算的能带结构和态密度分析了YMn2O5的光学性质,该材料的静态介电常数值为5.72.