一种线性可控全集成SiGe BiCMOS驱动放大器

作者：严琼; 武永华

来源：三明学院学报, 2014, 31(04): 75-78.

DOI：10.14098/j.cn35-1288/z.2014.04.014

• Bi CMOS
• 驱动放大器(DRA)
• 线性度
• 增益可控

基于Jazz工艺,提出一种线性可控全集成Si Ge Bi CMOS驱动放大器(DRA),实现多种可调功率增益放大作用。电路采用全差分共射共基结构,通过调节CMOS电流镜偏置电路和Si Ge-HBT管尺寸以及3bit控制位,实现1d B步长的可控增益。仿真结果显示:在10μA的带隙基准电流源以及3.3V的电源电压下,DRA实现八种可调功率增益,其线性度指标即输出1d B压缩点OP1d B>3d Bm,电路供电电流<10m A,且电路输入输出匹配良好(S11与S22均小于-19d B)。

• 单位
  福建江夏学院