摘要

用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N 扩散阻挡层,结果表明:Zr-Si-N 膜的Si 含量、电阻率随偏压的升高而降低;Zr-Si-N 膜的晶体相随溅射偏压的升高而增加;Zr-Si-N 扩散阻挡层的热稳定性高,在850oC 时仍能有效阻挡Cu 的扩散。