气体压强对磷掺杂a-Si∶H薄膜电学性能的影响

作者：陈宇翔; 李伟; 金鑫; 蒋亚东; 廖乃镘; 蔡海洪; 李志; 龚宇光

来源：半导体光电, 2009, (04): 550-554.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2009.04.018

• PECVD
• 气体压强
• 氢化非晶硅薄膜
• 电学性能
• 喇曼光谱 PECVD
• gas pressure
• a-Si∶H thin film
• electrical property
• Raman spectrum

用射频等离子增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80 Pa)对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响;利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a-Si∶H薄膜微结构的影响,并与薄膜的电学性能进行了综合讨论。结果表明:随着辉光放电气体压强的增加,a-Si∶H薄膜的暗电导逐步减小,但电导激活能和电阻温度系数都有不同程度的增大;同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。

• 单位
  光电信息学院; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室