化学水浴法制备In_2S_3薄膜的组织和性能研究

作者：王卫兵; 刘平; 李伟; 马凤仓; 刘新宽; 陈小红; 何代华

来源：真空科学与技术学报, 2013, (05): 402-407.

• 化学水浴法
• In2S3薄膜
• pH值
• 浓度比
• 溶液温度 Chemical bath disposition
• In2S3 thin film
• PH value
• Concentration ratio
• Solution temperature

采用化学水浴(CBD)法在InCl3.4H2O和CH3CSNH2的酸性混合溶液体系中分别通过改变pH值、溶液nIn:nS浓度比及溶液温度参数依次制备In2S3薄膜,并通过X射线衍射、扫描电镜及紫外/可见/近红外分光光度计等手段系统研究不同工艺下制备In2S3薄膜的晶相结构、表面形貌及光学性能。研究发现:溶液pH值对制备In2S3薄膜有很大的影响,在pH为1.8制备的In2S3薄膜性能较好;溶液nIn:nS浓度比影响薄膜的致密性,在1:4时相对较好;CBD法制备薄膜最佳溶液温度为80℃。在优化工艺参数下制备的In2S3薄膜可见光透过率在90%以上,禁带宽度为2.72eV,能够满足CIGS太阳能电...

• 单位
  上海理工大学