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摘要
本发明公开了一种基于p型氧化镍-氮化硅绝缘层-n型氧化镓结构的二极管及制备方法,主要解决现有肖特基二极管正向电流密度及反向击穿电压面向大功率下的应用效果差的问题。其由下至上包括阴极欧姆金属层、重掺杂氧化镓衬底、轻掺杂外延层氧化镓和阳极金属,其中,轻掺杂外延层氧化镓与阳极金属之间增设有氮化硅绝缘薄层及p型氧化镍层。通过该氮化硅绝缘薄层和p型氧化镍层,改变n型氧化镓与p型氧化镍之间的能带结构,使n型氧化镓与p型氧化镍之间产生较大的隧穿电流,增大器件正向电流密度及反向击穿电压。实测表明,本发明器件的正向电流密度提高了616％,反向击穿电压提高了102％,可用于大电流密度及高击穿电压的大功率工作环境。
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