硅单晶生长工艺的控制技术

作者：刘磊; 王尚勋

来源：价值工程, 2012, 31(03): 23.

DOI：10.14018/j.cnki.cn13-1085/n.2012.03.007

• 单晶生长工艺
• 等径生长
• 控制 single crystal growth process
• equal-diameter growth
• control

本文通过对单晶硅拉制过程中的温度控制、坩埚旋转、单晶的旋转与升降速率等参数的分析,详细说明了每个环节对单晶品质存在的影响,提出一套详细的控制理论,提高了无位错单晶的内在质量。