碳化硅沟槽栅MOSFET技术研究进展

作者：罗海辉^*; 李诚瞻; 姚尧; 杨松霖

来源：机车电传动, 2023, (05): 10-25.

DOI：10.13890/j.issn.1000-128X.2023.05.002

• 碳化硅
• 沟槽栅MOSFET
• 沟槽工艺
• 沟槽栅氧
• 沟槽结构
• 新型沟槽

第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具备耐高压、耐高温和低损耗等优点，迅速成为行业的研究热点。文章结合SiC功率MOSFET器件发展历史，探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性，介绍了SiC沟槽栅MOSFET结构设计、沟槽刻蚀工艺和沟槽栅氧工艺等核心问题的研究进展与技术挑战，并对未来新型SiC沟槽栅MOSFET技术进行了展望。