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摘要
随着社会的发展,科技的进步,半导体材料在现代科技革命中扮演着极其重要的角色。作为第三代半导体材料的代表,氮化镓(GaN)和其它氮化物材料是近年来光电子材料领域和高温大功率器件方面的研究热点之一。GaN基半导体材料具有禁带宽度大、电子漂移速度快、导热性好和耐高温高压等突出优点,在制作大功率、高频和高温电子器件以及光电器件方面具备得天独厚的优势。目前,GaN材料主要是采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在SiC、蓝宝石、Si和GaAs等衬底上异质外延获得。由于GaN材料与衬底之间存在较大的晶格失配和热失配,所以异质外延得到的GaN薄膜往往具有很高的位错密度,这些位错极大地限制了GaN基器件...
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