以并联LC作负载的电流注入式射频CMOS正交上混频器

作者:徐倩龙; 蒋颖丹; 胡骁; 朱彤; 黄龙; 谢淼; 袁圣越; 李征; 蔡语昕; 张润曦; 赖宗声
来源:2010-11-25, 中国, CN201010562433.8.

摘要

本发明公开了一种以并联LC作负载的电流注入式射频CMOS正交上混频器,该混频器是在传统的双平衡吉尔伯特混频器的基础上,采用电流注入方式,在跨导级的漏极或者说是开关管源极处连接由P型MOS管构成的电流源,用来抽取跨导级提供给开关管的电流,增加射频的偏置电流,可增加电路的线性度和增益,减轻电压裕度引起的问题。PMOS管进行电流注入,流经本振晶体管的电流减少,输出的平均噪声电流减少,混频器的闪烁噪声减少。采用并联高品质因子的电感和电容作负载,使得能够在较低电源电压下实现上混频功能。本发明提高了线性度,增大了转换增益,减小了噪声。