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摘要
电阻率是半导体材料的重要电学参数之一,对于最常见的硅单晶材料而言,也将直接影响到其功能特性。通过对单晶施加的不同探针加力得到所测量单晶的电阻率相对标准偏差与相对误差,探讨四探针法测量连续硅单晶电阻率的准确度问题。150 gf加力下测试标准偏差相较于其他加力降幅明显,但120 gf加力下测试相对误差相比于其他测试加力降幅最大可达1%。因此120 gf加力附近时,探针与硅片表面的接触相对另外选取几个加力选取值来说可以达到最优状态。
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单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
