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摘要
AgSnO2触头材料是一种环保型低压触头材料，具备良好的耐电弧以及抗熔焊能力，所以目前已经逐渐代替银氧化镉材料。采用金属元素与非金属元素共掺杂的方式对SnO2的导电性能进行改良。运用CASTEP软件对元素掺杂前后的各项性能进行了仿真试验。结果表明：当以Se元素单掺杂时，晶胞体积有小幅度增加；以Ni元素单掺杂时，晶胞体积小幅度缩减；而以Ni-Se两种元素共掺杂时，晶胞体积虽然略微增加但是整体介于Se元素和Ni元素单掺杂时的晶胞体积之间。与未掺杂元素时的SnO2不同，元素掺杂后晶胞禁带宽度明显变小，其中Ni-Se两种元素共掺杂时的禁带宽度最小，表明电子可以更加容易跃迁，AgSnO2的导电性也最好；共掺杂时费米能级附近的峰值与局域性下降，原子间的成键结合力更强，AgSnO2材料也更加稳定。
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