修改芯片中的电路拓扑结构以及版图结构实现抗辐射性能,并最终通过商用半导体工艺制造线生产抗辐射芯片是目前抗辐射设计的一个重要思路。论文结合双互锁单元技术(DICE)、空间冗余技术(TMR)、时间滤波技术(TS)和RC滤波技术4种加固技术,完成抗辐射D触发器单元设计。最后通过理论分析和模拟仿真验证其抗辐射性能。
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