为了改善高压功率SiGeHBT的综合性能,应用图形外延SiGe工艺,研制出了一种新型的双多晶自对准SiGeHBT器件。相对于双台面结构的SiGeHBT而言,该结构的SiGeHBT在发射极总周长不变的情况下,其发射结面积减少超过50%,集电结面积减少近70%,BVCBO也提高了近28%。经测试,器件的结漏电和直流增益等参数均符合设计要求。
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