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摘要
化学机械平坦化(chemical mechanical planarization, CMP)工艺处理SiO2绝缘层是一种获得高度集成化超导电路的关键技术，尤其适合于多层堆叠约瑟夫森结阵列器件的平整化。设计了应用于热氧化生长的SiO2薄膜和化学气象沉积生长的SiO2薄膜的CMP工艺，得出两种薄膜的抛光速率分别为2 nm/s和3 nm/s,晶圆的全局材料去除高度差均在20 nm以内。并将CMP工艺应用到约瑟夫森结阵列的制作流程，结单元结构AFM高度轮廓扫描显示台阶高度由240 nm减小到约25 nm,其上的SiO2绝缘层2×2μm2区域内的表面粗糙度为0.535 nm,提供了后续器件制备所需的工艺窗口。
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