基于水溶性硅量子点的汞离子荧光传感器

作者:郑爱华; 王佳慧; 吉邢虎; 何治柯
来源:分析科学学报, 2018, 34(01): 43-46.
DOI:10.13526/j.issn.1006-6144.2018.01.009

摘要

本文基于Hg2+对水溶性硅量子点(Si QDs)的荧光猝灭效应,构建了一种简单、快捷的Hg2+荧光传感器。实验发现,当Si QDs表面的氨基与Hg2+结合形成配合物时,Si QDs的荧光被猝灭,根据荧光猝灭程度与Hg2+的浓度关系,可实现Hg2+的检测。在优化的实验条件下,Si QDs的荧光猝灭程度与Hg2+浓度在5.0×10-81.0×10-6 mol/L范围内呈良好的线性关系(R2=0.9978),检出限(3σ)为2.2×10-8 mol/L。在此基础上,借助Hg2+易于与巯基结合形成稳定配合物的原理,选用治疗Hg2+中毒的药品二巯基丙磺酸钠(DMPS)为模型,利用该巯基化合物可使Hg2+猝灭Si QDs的荧光恢复的特性,建立了一种检测DMPS的新方法。

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