高压IGBT劣化机理分析及状态监测技术研究综述

作者：祝令瑜^*; 占草; 刘琛硕; 代建港; 汲胜昌

来源：高电压技术, 2021, 47(03): 903-916.

DOI：10.13336/j.1003-6520.hve.20191819

• 高压IGBT
• MMC
• VSC-HVDC
• 劣化机理
• 状态监测
• 压接型IGBT

基于模块化多电平换流器(MMC)的柔性直流输电(VSC-HVDC)技术在电力传输等领域得到广泛应用。高压IGBT的劣化机理分析及状态监测技术对于保证MMC的可靠性具有重要意义。高压IGBT有焊接型和压接型两种不同的封装形式。目前焊接型IGBT的劣化机理研究综述较多,但是缺乏压接型IGBT的相关总结。因此,首先总结了压接型IGBT的状态劣化形式和机理。然后从电学、热学和绝缘参量的角度分析了近年来国内外高压IGBT状态监测领域的研究现状,特别补充了关于压接型IGBT的有关内容。最后,基于对国内外研究中存在问题的分析,展望了MMC用高压IGBT状态监测技术的发展趋势和值得深入研究的方向。对于MMC用高压IGBT状态监测技术研究具有一定意义。

• 单位
  西安交通大学; 电力设备电气绝缘国家重点实验室