科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
<正>IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是电源应用中相当常见的器件,可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT将可为相关应用提供更高的效能与更佳的成本效益,究竟它是如何办到的?让我们来进一步深入了解。通过TO-247-4L IGBT封装减少Eon损耗IGBT是主要用作电子开关的三端子功率半导体器件,正如其开发的目的,结合了高效率和快速的开关功能,它在许多应用中切换电力,像是变频驱动(VFD)、电动汽车、火车、变速冰箱、灯镇流器和空调。传统的双极结型晶体管(Bipolar
