一种钨表面两步法制备Y和Al改性硅化物渗层的方法

作者:罗来马; 章宇翔; 吴玉程; 刘东光; 谭晓月; 昝祥; 朱晓勇
来源:2019-07-16, 中国, CN201910638149.5.

摘要

本发明公开了一种钨表面两步法制备Y和Al改性硅化物渗层的方法,通过两步法在W表面制备Y和Al改性硅化物渗层,在不改变已有硅化物渗层组织结构的基础上,通过后续的包埋渗铝处理得到Y和Al改性硅化物渗层。本发明方法在W表面制备的Y和Al改性硅化物渗层具有优异的抗高温氧化能力,经1000℃氧化10小时后,渗层表面的氧化膜致密完整,单位面积增重为9.27~10.39mg/cm2。