低导通压降和低反向漏电流碳化硅肖特基二极管的研究

作者：季益静

来源：集成电路应用, 2021, 38(02): 1-3.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.02.001

• 碳化硅肖特基二极管
• Silvaco
• 势垒高度
• 双层外延
• 沟槽

提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比。使用更低势垒高度的钼(Mo)金属作为肖特基势垒金属,显著降低器件的开启阈值电压,利用碳化硅等离子干法刻蚀技术形成深沟槽,在此基础上离子注入形成的深P+结,可以在反向阻断时较好的屏蔽肖特基金属表面的电场强度,从而降低器件的反向漏电流。双外延的引入则大大降低了P+结之间的沟道电阻,提升器件整体导通性能。