化学共沉淀法制备镧掺杂纳米二氧化锡的研究

作者：杨敏鸽; 王俊勃; 陈立成; 丁秉钧

来源：现代化工, 2006, S1: 179-182+185.

DOI：10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2006.s1.045

• 纳米二氧化锡
• 镧
• 氢氧化锡
• 化学共沉淀 nanosized tin dioxide
• La
• Sn(OH)_4
• chemical co-precipitation

以SnCl4和La2O3为原料,采用化学共沉淀法制备掺杂La的纳米SnO2,并对其物相和粒度进行了分析。结果发现采用化学共沉淀法制备La掺杂SnO2粉末,焙烧温度在400~650℃时,其晶体结构保持SnO2的四方结构;750℃以上焙烧,得到La2Sn2O7和SnO2两相结构。La元素的掺杂明显抑制SnO2晶粒的长大,并且随含量的增加抑制SnO2长大的效果更明显。同时掺杂La元素使纳米SnO2晶粒的形成与长大对保温时间不敏感,在550℃焙烧1 h与8 h晶粒大小只相差1 nm左右。