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摘要
采用傅里叶光学的方法,分析了冷压印光刻中新型斜纹光栅对准标记的透光特性。分析表明,对准信号与光栅副相对位移之间是正弦变化关系,且对准位置附近是一个陡直的线性区。该区对准信号的灵敏度很高,适合于多层套刻对准,根据信号和位移的线性关系,给出初步的对准信号计算模型。由于抗蚀剂的存在,使晶片表面反射率随位移而变化,提出用反射率因子进行修正的方案。反射率因子中包含有位移信息,将其与初步对准信号模型相乘,得到修正的计算模型。由新模型,研究了抗蚀剂平均厚度不同对对准信号的影响,说明要获得高灵敏度的信号,抗蚀剂厚度应取满足压印条件的最小值。
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