低阻硅TSV与铜TSV的热力学变参分析

作者：陈志铭; 谢奕; 王士伟; 于思齐

来源：北京理工大学学报, 2018, 38(11): 1177-1181.

DOI：10.15918/j.tbit1001-0645.2018.11.012

• 三维集成
• 硅通孔
• 热力学特性
• 有限元分析

硅通孔(through-silicon-via,TSV)是三维集成技术中的关键器件.本文对低阻硅TSV与铜TSV的热力学特性随各项参数的变化进行了比较.基于基准尺寸,比较了低阻硅TSV和铜TSV在350℃的工作温度下,最大von Mises应力和最大凸起高度之间的不同.基于这两种结构,分别对TSV的直径、高度、间距进行了变参分析,比较了不同参数下,两种TSV的热力学特性.结果表明,低阻硅TSV具有更好的热力学特性.

• 单位
  北京理工大学