上海硅酸盐所在浮区法生长Ce∶GGAG闪烁晶体方面取得系列进展

来源：稀土, 2023, 44(02): 109.

<正>近期，中国科学院上海硅酸盐研究所副研究员石云等人开展了低Ga含量Ce∶GGAG(Ga/Al比为2/3)的光浮区法(optical floating zone method, OFZ)晶体生长和闪烁性能研究。与传统的提拉法(CZ)法和微下拉法(m-PD)法相比，光浮区法在晶体生长过程不需要坩埚，几乎不会在生长过程中引入杂质，可生长高熔点的晶体。生长速度与其他单晶生长方法相比较快，提高了晶体生长效率且晶体生长质量较高，

• 单位
  中国科学院上海硅酸盐研究所