双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响

作者：刘博; 王磊; 冯志刚; 王俊; 李文军; 程秀兰

来源：半导体技术, 2009, (3): 247-250.

DOI：10.3969/j.issn.1003-353X.2009.03.013

• 高压器件
• 扩展漏端MOS
• 衬底电流
• 热载流子注入

基于0.18 μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流,Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化.通过TCAD分析表明,这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层,进而改变了器件不同区域内部电场分布所致.同时模拟研究还表明,在

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 上海交通大学