ESD对双极型硅器件的损伤机理研究

作者：刘进; 陈永光; 谭志良; 谢鹏浩

来源：核电子学与探测技术, 2011, (10): 1147-1151.

• 静电放电
• 损伤机理
• 双极型硅器件
• 模型 ESD,Failure Mechanism,Bipolar Silicon Device,modeling

通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式。ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度(1 413℃)而使器件击穿烧毁;ESD电压较低时,电触点的峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度(577℃),使器件参数退化从而发生潜在性失效。将实验结果与模型分析比较,结果吻合良好。因此,在知道器件生产工艺参数的情况下,就可计算出器件的ESD损伤阈值,为双极型硅器件的设计、参数优化提供了理论依据。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学