氩气生长压力对脉冲激光沉积亚铜基硫族化合物薄膜组分的调控（英文）

作者：陈吉堃; 吕艳红; Max Dbeli; 李宇龙; 史迅; 陈立东

来源：Science China-Materials, 2015, 58(04): 263-268.

本文阐述了在利用脉冲激光沉积法生长亚铜基硫族化合物薄膜过程中,所使用的氩气背景气体压力与薄膜化学组分的关系.当氩气压力在10-2 mbar时,薄膜材料中原子量较轻的成分缺失更为严重.与之相比,当利用准真空或10-1 mbar时薄膜材料化学组分与所用靶材组分更为接近.以硒化亚铜为例,研究结果显示所生长薄膜材料的电输运性能与铜硒组分比例随压力的变化相一致.当生长条件为真空或准真空时,所生长的硒化亚铜薄膜具有致密的结构和最佳的化学组分,因而具有最优的热电性能.

• 单位
  中国科学院大学; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室