高剂量离子辐照效应对CdZnTe:In晶体光电性能的影响（英文）

作者：徐凌燕^*; 刘哲; 梁璐

来源：稀有金属材料与工程, 2021, 50(06): 1941-1945.

• 化合物半导体
• 辐照效应
• 电学性能
• 光学性能

研究了离子辐照效应对CdZnTe(CZT)晶体光电性能的影响。采用Ar离子对改进的垂直布里奇曼法生长的CZT晶体进行辐照,剂量范围为1014～1015 cm-2。红外透过光谱测试结果表明,辐照前晶体样品的高直型光谱转变为辐照后的上升性光谱。辐照诱导产生的高浓度自由载流子引起的光吸收在红外透过光谱的中红外范围内占主导地位。由于离子辐照发生在单侧照射面的近表面区域,辐照后晶体样品的I-V特性曲线变得极不对称。在负偏压的条件下,电流随着电压的增大而急剧增大。霍尔效应测试结果表明,辐照前晶体样品的净载流子浓度约为106 cm-3,而辐照后的净载流子浓度大幅增加,约为1016 cm-3。CZT晶体的导电类型在离子辐照前后并没有发生变化,施主缺陷能级在辐照诱导缺陷中占主导地位。

• 单位
  材料学院; 西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室