以g-C3N4为原料快速合成Ti2Al(C,N)陶瓷及其层状生长机制研究

作者：李啸轩; 张强; 朱春城^*

来源：材料导报, 2020, 34(04): 4032-4036.

• Ti2Al(C,N)
• 自蔓延高温合成
• 层状生长机制

以Ti、Al和g-C3N4粉体为原料,采用快速、能耗低的自蔓延高温合成法制备出Ti2Al(C,N)。当Ti、Al和g-C3N4的物质的量比为2∶1.05∶1时,Ti2Al(C,N)的含量最高。在反应过程中,Al的熔化促进了Ti(s)和g-C3N4(s)反应生成Ti(C,N)(s),在降温阶段Ti(s)和Al(l)形成TiAl(s),之后Ti(C,N)(s)和TiAl(s)反应生成片层状的Ti2Al(C,N)(s)。Ti2Al(C,N)晶粒的层状生长研究表明,Ti2Al(C,N)为二维生长机制,以阶梯状生长模式生长;Ti2Al(C,N)大晶粒的片层存在向内的扩展方式;杂质小颗粒的存在对Ti2Al(C,N)片层的横向扩展产生阻碍作用。

• 单位
  哈尔滨师范大学; 化学化工学院